Teknoloji dünyasının merakla beklediği yeni bellek çözümü Z-Angle Memory (ZAM), Japonya’da düzenlenen Intel Connection Japan 2026 etkinliğinde somut bir prototip olarak dünyaya duyuruldu.
Intel Üst Düzey Yöneticisi Joshua Fryman ve Intel Japonya CEO’su Makoto Onho’nun bizzat katıldığı tanıtımda, stratejik öneme sahip bu yeni mimarinin detayları paylaşıldı.
SoftBank iştiraki Saimemory ile iş birliği içinde geliştirilen bu teknoloji, özellikle yapay zeka ve veri merkezlerinde kullanılan Yüksek Bant Genişlikli Bellek (HBM) pazarına güçlü bir alternatif sunarak mevcut tekelleşmeyi kırmayı hedefliyor.
KADEMELİ MİMARİ İLE DAHA DÜŞÜK GÜÇ TÜKETİMİ VE YÜKSEK PERFORMANS SAĞLANIYOR
ZAM teknolojisini geleneksel bellek çözümlerinden ayıran temel fark, veri bağlantılarının kalıp yığını içerisinde düz yerine çapraz olarak yönlendirildiği özel bir kademeli mimari kullanmasıdır. Intel uzmanlarının paylaştığı teknik verilere göre bu yapısal değişim, çiplerin ısınma sorunlarını minimize ederken performans darboğazlarını da ortadan kaldırıyor.
Pazarlama verileri, Z-Angle belleklerin mevcut HBM çözümlerine oranla yüzde 40 ila 50 arasında daha düşük güç tüketimi gerçekleştirdiğini ortaya koydu.
ÜRETİM KOLAYLIĞI VE 512 GB DEPOLAMA KAPASİTESİ HEDEFLENİYOR
Yeni nesil belleklerin bir diğer dikkat çeken özelliği ise yonga başına sunabildiği depolama kapasitesidir. Z-Angle ara bağlantılarının sağladığı avantajlar sayesinde üretim süreçlerinin basitleşmesi ve depolama kapasitesinin 512 GB seviyesine kadar yükseltilmesi planlanıyor.
Intel, bu projede şimdilik ilk yatırımcı ve stratejik karar verici rolünü üstlenirken, teknolojinin seri üretime geçmesiyle birlikte veri depolama standartlarının yeniden şekillenmesi bekleniyor.
